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            產品詳情
            • 產品名稱:單靶直流磁控濺射鍍膜儀

            • 產品型號:CY-MSP300S-DC
            • 產品廠商:泰諾
            • 產品文檔:
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            簡單介紹:
            單靶直流磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜等。該單靶磁控濺射鍍膜儀與同類設備相比,其不僅應用廣泛,且具有體積小便于操作的優點,是一款實驗室制備材料薄膜的理想設備,特別適用于實驗室研究固態電解質及OLED等
            詳情介紹:

            單靶直流磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發的一款高性價比磁控濺射鍍膜設備,具有標準化、模塊化、可定制化的特點。磁控靶有1英寸2英寸3英寸可以選擇,客戶可以根據所鍍基板的大小自主選擇;所配電源為1500W大功率直流電源,可用于高能量的金屬濺射鍍膜,根據實驗需求也可以選配其他規格的直流或者射頻電源來實現各種材料的鍍膜操作。

             單靶直流磁控濺射鍍膜儀

            鍍膜儀具有兩路高精度質量流量計,客戶若另有需求可以定制至多四路質量流量計的氣路,以滿足復雜的氣體環境構建需求;儀器標配先進的渦輪分子泵組,極限真空可達1.0E-5Pa,同時另有其他類型的分子泵可供選購。分子泵的氣路由多個電磁閥控制,可以實現在不關泵的情況下打開腔體取出樣品,大大提高了您的工作效率。本產品可以選配一體機工控電腦對系統進行控制,在電腦程序上可以實現真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數功能,可以進一步提高您的實驗效率。

            單靶磁控濺射鍍膜儀適用范圍:

            該設備可用于制備單層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜等。該單靶磁控濺射鍍膜儀與同類設備相比,其不僅應用廣泛,且具有體積小便于操作的優點,是一款實驗室制備材料薄膜的理想設備,特別適用于實驗室研究固態電解質及OLED等。

            單靶磁控濺射鍍膜儀技術參數:

            單靶直流磁控濺射鍍膜儀

            外形尺寸

            φ185mm

            加熱范圍

            室溫500

            可調轉速

            1-20rpm可調

            靶材平面

            圓形平面靶

            濺射真空

            10Pa0.2Pa

            靶材直徑

            5050.8mm

            靶材厚度

            25mm

            絕緣電壓

            >2000V

            電纜規格

            SL-16

            靶頭溫度

            65

            內壁處理

            電解拋光

            腔體尺寸

            φ300mm × 300mm

            腔體材料

            304不銹鋼

            觀察窗口

            石英窗口,直徑φ100mm

            開啟方式

            上頂開啟,氣缸輔助支撐

            流量控制

            質量流量計,量程0200SCCM氬氣

            調節閥類型

            電磁調節閥

            調節閥靜止狀態

            常閉

            測量線性度

            ±1.5%F.S

            測量重復精度

            ±0.2%F.S

            測量響應時間

            8秒(T95

            工作壓差范圍

            0.3MPa

            閥體耐壓

            3MPa

            工作環境溫度

            545)℃

            閥體材料

            不銹鋼316L

            閥體漏率

            1×10-8Pa.m3/s

            管道接頭

            1/4″卡套接頭

            輸入輸出信號

            05V

            供電電源

            ±15V(±5%)(+15V  50mA,  15V  200mA

            外形尺寸mm

            130(寬)×102(高)×28(厚)

            通訊接口

            RS485 MODBUS協議

            直流電源

            電源功率

            500W

            輸出電壓

            0600V

            定時長度

            65000

            啟動時間

            110

            電源要求

            DC:5V(±10%) *大電流 400mA

            分辨率

            ±0.03Hz(5-6MHz),0.0136? /測量()

            測量精度

            ±0.5%厚度+1計數

            測量周期

            100mS1S/次(可設置)

            測量范圍

            500,000 ? ()

            晶體頻率

            6MHz

            通訊接口

             RS-232/485串行接口

            顯示位數

            8LED顯示

            分子泵

            分子泵抽速

            80L/S

            額定轉速

            65000rpm

            振動值

            0.1um

            啟動時間

            4.5min

            停機時間

            <7min

            冷卻方式

            風冷

             

            冷卻水溫度

            37

            冷卻水流速

            1L/min

            安裝方向

            垂直±5°

            抽氣接口

            150CF

            排氣接口

            KF40

            前級泵

            抽氣速率

            1.1L/S(VRD-4)

            極限真空

            5×10-2Pa

            供電電源

            AC:220V/50Hz

            電機功率

            400W

            噪音

            56db

            抽氣接口

            KF40

            排氣接口

            KF25

            放氣閥

            真空腔體上裝有氣動電控放氣閥

            整機極限真空

            5×10-4Pa

            真空腔體升壓率

            2.5Pa/h

            軟件系統

            監控管理軟件1

            測試靶材

            直徑2英寸厚度3mm的銅靶材2


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